DDR2 vs DDR3. Тестирование модулей памяти Kingston
DDR2 vs DDR3. Тестирование модулей памяти Kingston
Первый революционный скачок в развитии технологии DDR SDRAM был осуществлен при переходе с DDR к DDR2. Первые модули DDR работали на частоте всего 100 МГц, при этом имея рейтинг DDR-200, впоследствии частота достигла 200 МГц (DDR-400). В момент появления модули DDR-400 работали с таймингами 3-3-3-8, по мере развития технологии тайминги закономерно уменьшались, достигнув значения 2-2-2-5. Эти значения стали, можно сказать, отправной точкой для оверклокерских модулей памяти, лучшие из которых (а это, безусловно, модули, построенные на легендарных чипах Winbond BH-5) уверенно функционировали на частоте 250 МГц с таймингами 2-2-2-5, правда, при увеличенном до 3.4 В напряжении питания. Такое напряжение могли предложить считаные модели материнских плат, но энтузиасты использовали вольтмоддинг как альтернативное решение.
Отдельные производители отличились, сумев предложить модули, функционирующие на рекордной частоте 300 МГц, однако это сопровождалось увеличением задержек и, как правило, не приводило к увеличению производительности в сравнении с модулями, работающими на более низкой частоте, но с уменьшенными задержками. Разумеется, цена таких высокоскоростных модулей также била все рекорды.
Немаловажно и то, что комитет JEDEC отказался признавать память DDR-600, как стандарт, таким образом, эволюционное развитие памяти DDR остановилось на частоте 200 МГц, а тем временем производители памяти предложили модули следующего поколения – DDR2.
Изначально, память нового поколения работала на частоте 200 МГц (DDR2-400) и 266 МГц (DDR2-533), другими словами, память DDR2 начала свой путь после того, как официально прекратилось развитие памяти DDR. Важен тот факт, что новый стандарт памяти подразумевал скорый переход на более высокие частоты: модули DDR2, работающие на частоте 333 и 400 МГц (DDR2-667 и DDR2-800 соответственно). Если в самом начале своего появления память DDR2 вчистую проигрывала своим оверклокерским конкурентам из стана DDR, то такое увеличение в частоте сделало свое дело, выведя модули DDR2 в безоговорочные лидеры.
Переход от DDR к DDR2 также позволил сократить энергопотребление: если для памяти стандарта DDR типичным было рабочее напряжение 2.5 В, то модули DDR2 требовали всего 1.8 В. Кроме экономии электроэнергии, это также положительно сказалось на времени автономной работы мобильных устройств, а также позволило увеличить максимальную емкость модуля, правда, на большинстве пользователей последнее преимущество практически не сказалось, ведь типичный компьютер редко имеет объем памяти, превышающий 2 GB.
Дальнейшее развитие памяти стандарта DDR2 шло уже пройденным путем. После достижения частоты 333 и 400 МГц производители памяти сумели вывести на рынок модули, работающие с уменьшенными задержками, а комитет JEDEC официально их стандартизировал (JESD79-2b). Таким образом, для памяти DDR2-533 стандартными являются тайминги 3-3-3, для памяти DDR2-667 – 4-4-4, а для памяти DDR2-800 – 5-5-5. Как и в случае памяти стандарта DDR, впоследствии появились нестандартные модули DDR2, работающие на частоте 625 МГц, или DDR2-1250. Эти значения являются практически предельными для технологии DDR2, таким образом, в настоящее время сложились все предпосылки для перехода на память нового стандарта, то есть DDR3. Отметим, что сверхскоростные модули DDR2 потребовали увеличения напряжения питания с 1.8 до 2.3-2.4 В, что практически совпадает по величине с рабочим напряжением модулей DDR. Для охлаждения экстремальных модулей памяти некоторые производители даже применяют воду, не говоря уже о мощных воздушных конструкциях. Однако давайте перейдем к рассмотрению памяти DDR3.
Многие будут удивлены, однако первые модули DDR3 появились в виде инженерных образцов в 2005 году. Доступные сегодня модули памяти нового стандарта выполнены по 90-нм технологическому процессу и функционируют при напряжении питания 1.5 В. По официальным утверждениям, память DDR3 позволяет экономить до 40% электроэнергии по сравнению с памятью DDR2, работающей на аналогичной частоте.
Как и во время перехода с DDR на DDR2, память нового стандарта работает с большими задержками на одинаковой с памятью предыдущего поколения частоте. Объясняется это более сложной внутренней организацией модуля вследствие необходимости передачи большего объема данных за такт.
Емкость чипа, согласно спецификации JEDEC, может варьировать от 512 Mb до 8 Gb, однако в настоящее время наиболее типичны величины 1-4 Gb. Теоретическая пропускная способность DDR3 модулей вдвое больше, чем модулей DDR2. По сравнению с DDR2 чипы DDR3 выпускаются в упаковке FBGA, что приводит к увеличению количества сигнальных контактов и напрямую сказывается на механической стойкости модулей и улучшенному распределению выделяемого тепла.
Как и модули DDR2, модули DDR3 имеют 240 контактов, однако они электрически несовместимы. Для предотвращения ошибочной инсталляции DDR3 модулей в материнские платы, не поддерживающие новый тип памяти, производители снова изменили месторасположение ключа, таким образом, враз сжечь дорогие модули у пользователя не получится.
Ответить с цитированием